제품소개
ENERGYN CVI
Chemical Vapor Infiltration
에너진의 CVI, CVD장비는 ~3000 ℃ 의 초고온 상태에서 표면증착, 단결정 육성, 화학 침착 등을 행하는 장비 입니다.
단결정을 생산하거나, 적층 화이버에 CVI공정을 통한 C-SiC 또는 SiC-SiC 복합소재를 제조할 수 있습니다.
에너진 ETGCVI 특징
복합소재 밀도화처리장비
다양한 형상을 갖는 C-SiC Composite의 제조, C, C-SiC의 고순화 처리를 위한 장비입니다. 일반적인 CVD장비가 표면에만 코팅되는 것과는 달리, 인위적인 열구배를 통해 생산하려는 프리폼 소재 내부에서부터 CVD반응에 의해 침착됨으로써 상당한 두께를 가지는 치밀한 제품을 얻을 수 있습니다.
※ 본 장비는 C/C, RBSC(Reaction Bonded Silicon Carbide) 생산 설비 등으로도 응용할 수 있습니다.
~20kHz 250kW Induction Heating
Max. 1900℃ PID Continuous Control
Work Zone Dimension : Ø350mm X 500mmH
MTS(Methyl-Trichloro-Silane) Supply System
Gas Delivery System
Integral Control by PLC & Touch Screen with HMI Function
Safety Interlock
산업 분야
단결정 (SiC, ZnSe, GaN)
AlN/CC/CSiC, 표면코팅/침투 등
ETGCVI-350
유효공간 (Hot zone, 최대 제품치수) | Dia350 x 500H mm, 수직형 |
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제품구동 | 회전(~10rpm) 및 상하 이송(~5mm/min, st500mm) |
열원 | 고주파유도가열(IGBT, 250kW, ~20kHz) |
TG CVI Reactor | Quatz Tube |
SiC source | MTS(methyltrichlorosilane) Vaporizer |
설비온도 | 최대 1900℃, 상용1300℃ (Option 최대 3000℃) |
도달진공도 | 5x10E-4 torr |
상용 압력범위 | 10~100torr(CDG 측정) |
투입가스 제어 | 4 chanel MFC |
배기가스 제어 | 유량조절 진공밸브 |
배기장치 | 내화학 진공펌프 유니트 |
제어방법 | SCADA, HMI |
유해 가스 검출 장치 | Cl, HCl 디텍터 적용 |
04Furnace