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제품소개

    ENERGYN CVI

    Chemical Vapor Infiltration

    에너진의 CVI, CVD장비는 ~3000 ℃ 의 초고온 상태에서 표면증착, 단결정 육성, 화학 침착 등을 행하는 장비 입니다.
    단결정을 생산하거나, 적층 화이버에 CVI공정을 통한 C-SiC 또는 SiC-SiC 복합소재를 제조할 수 있습니다.

    에너진 ETGCVI 특징

    복합소재 밀도화처리장비

    다양한 형상을 갖는 C-SiC Composite의 제조, C, C-SiC의 고순화 처리를 위한 장비입니다. 일반적인 CVD장비가 표면에만 코팅되는 것과는 달리, 인위적인 열구배를 통해 생산하려는 프리폼 소재 내부에서부터 CVD반응에 의해 침착됨으로써 상당한 두께를 가지는 치밀한 제품을 얻을 수 있습니다.

    ※ 본 장비는 C/C, RBSC(Reaction Bonded Silicon Carbide) 생산 설비 등으로도 응용할 수 있습니다.

    ~20kHz 250kW Induction Heating
    Max. 1900℃ PID Continuous Control
    Work Zone Dimension : Ø350mm X 500mmH
    MTS(Methyl-Trichloro-Silane) Supply System
    Gas Delivery System
    Integral Control by PLC & Touch Screen with HMI Function
    Safety Interlock

    산업 분야

    단결정 (SiC, ZnSe, GaN)
    AlN/CC/CSiC, 표면코팅/침투 등

    ETGCVI-350

    유효공간 (Hot zone, 최대 제품치수) Dia350 x 500H mm, 수직형
    제품구동 회전(~10rpm) 및 상하 이송(~5mm/min, st500mm)
    열원 고주파유도가열(IGBT, 250kW, ~20kHz)
    TG CVI Reactor Quatz Tube
    SiC source MTS(methyltrichlorosilane) Vaporizer
    설비온도 최대 1900℃, 상용1300℃ (Option 최대 3000℃)
    도달진공도 5x10E-4 torr
    상용 압력범위 10~100torr(CDG 측정)
    투입가스 제어 4 chanel MFC
    배기가스 제어 유량조절 진공밸브
    배기장치 내화학 진공펌프 유니트
    제어방법 SCADA, HMI
    유해 가스 검출 장치 Cl, HCl 디텍터 적용

      응용예시

      04Furnace

      CVI/CVD